【导读】：该团队与TU Delft的van der Zant实验室合作，设法在电极之间的纳米级空间中捕获并检查了广泛使用的参考分子，以确认金属管浮子流量计技术并未阻碍分子结的形成。 共同作者之一Shyamprasad Natarajan Raja说，这种金属管浮子流量计技术为结构可扩展生产的僵局提供了突破，这有一天可能使包含单个分子的电子设备成为可能。......
开发金属管浮子流量计的新的更快，可扩展的方法
电子学的未来部分取决于硅导体的修改和发展。
分子电子学可以为此做出贡献，并且该领域的研究人员一直在致力于开发可扩展的纳米级电极，该电极可用于探索和操纵分子行为以使电子材料受益。
现在，KTH的微和纳米系统系的一个团队已成功开发出一种方法，可以开发数百万个可行的纳米级分子结。该发现非常近在《自然通讯》上有报道。
科学家声称，使用直径为100 mm的薄晶圆，他们可以在五个小时内使用脆性材料顶部的金膜形成裂纹，从而制作多达2000万个这种电极。
该团队与TU Delft的van der Zant实验室合作，设法在电极之间的纳米级空间中捕获并检查了广泛使用的参考分子，以确认金属管浮子流量计技术并未阻碍分子结的形成。
共同作者之一Shyamprasad Natarajan Raja说，这种金属管浮子流量计技术为结构可扩展生产的僵局提供了突破，这有一天可能使包含单个分子的电子设备成为可能。
关键是要形成能引起隧道现象的间隙，在该隧道中，电子占据了电路中的突破口。
断裂结具有几个原子大小的间隙，这会中断电子的流动。
但是，该间隙很小，具有足够能量的电子仍然可以跳过它。
隧道电子能承受很小但可测量的电流，该电流对间隙的大小以及间隙中纳米物体的存在非常敏感。
该技术使用光刻技术在氮化钛（TiN）上构图一堆金。
将该叠层放置在金属管浮子流量计上，新形成的缺口结构会集中应力。
当去除叠层正下方的硅时（一种称为释放刻蚀的工艺），在TiN的预定位置会形成细小裂纹，从而释放应力。
反过来，这会使金变形，将其拉伸成原子细线穿过这些裂纹，断裂时会形成像分子一样小的间隙。
Raja说，该技术可以用于其他金属管浮子流量计，具有出色的化学，电学和等离子体特性，可用于分子电子学和自旋电子学，生物传感和纳米等离子体学。
